ddr3和ddr4的內(nèi)存條有什么區(qū)別？

DDR4內(nèi)存是新一代的內(nèi)存規(guī)格，和DDR3相比最大區(qū)別有三點：\x0d\x0a1、16bit預(yù)取機制（DDR3為8bit），也就說同樣工作頻率下理論速度是DDR3的兩倍；\x0d\x0a2、更加可靠的傳輸規(guī)范，也就是數(shù)據(jù)可靠性提高；\x0d\x0a3、工作電壓降為1.2V，更節(jié)能，發(fā)熱量降低。\x0d\x0a對用戶而言，16bit預(yù)取機制是最大的體現(xiàn)，可以提高速度。但支持DDR4內(nèi)存的主板和CPU目前價格還高，而且在更新?lián)Q代的今天，升級其實也是愿望而已，就算目前買了DDR4，到時候可能會因為頻率上的升級，導(dǎo)致目前購買的DDR4到時候成為雞肋。比如當(dāng)時的DDR3800用到目前的DDR31600上，你會如何取舍。\x0d\x0a個人覺得沒必要考慮升級這么多，目前DDR3與DDR4差價，足夠以后添置容量更大速度更快的內(nèi)存了。

DDR3內(nèi)存條和DDR4有什么不一樣，還有DDR3L什么意思

一、DDR3內(nèi)存條和DDR4內(nèi)存條不一樣的方面：

1、規(guī)格不同：

DDR3內(nèi)存條：起始頻率有800MHz，最高頻率可達2133MHz。

DDR4內(nèi)存條：起始頻率有2133MHz，最高頻率可達3000MHz。

3、內(nèi)存容量不同：

DDR3內(nèi)存條：最大單條可達64GB的容量。

DDR4內(nèi)存條：最大單條容量為128GB。

4、功耗不同：

DDR3內(nèi)存條：工作電壓為1.5V，耗電較多，而且內(nèi)存條容易發(fā)熱降頻，影響性能。

DDR4內(nèi)存條：工作電壓多為1.2V甚至更低，更少的用電量和更小的發(fā)熱，提升了內(nèi)存條的穩(wěn)定性。

二、DDR3L的意思：

這里的DDR3后面的字母“L”，代表的是LowVoltage的縮寫。DDR3L全稱是DDR3LowVoltage，就是DDR3低電壓版，其工作電壓相比普通標(biāo)準(zhǔn)版的DDR3內(nèi)存更低一些，功耗更低，但性能也略微更低一些。

DDR3L低電壓內(nèi)存條一般主要用在筆記本、服務(wù)器等設(shè)備上，普通臺式電腦很少使用這種低電壓內(nèi)存條。

擴展資料：

選擇DDR3和DDR4內(nèi)存條需要注意的事項：

1、選擇內(nèi)存條前，首先查看電腦主板是否支持DDR3或DDR4內(nèi)存條，有沒有相應(yīng)的DDR3和DDR4內(nèi)存條插槽。

2、內(nèi)存容量和頻率的選擇，目前DDR4內(nèi)存的容量有4G、8G的，DDR4內(nèi)存的頻率有2133MHZ、2400MHZ、2666MHZ、2800MHZ等。根據(jù)電腦所支持的配置進行選擇。

3、DDR3和DDR4互不兼容，無法一同使用。

內(nèi)存DDR4和DDR3的區(qū)別

有七個方面的區(qū)別；

1.外觀

DDR4模組上的卡槽與DDR3模組卡槽的位置不同。兩者的卡槽都位于插入側(cè)，但DDR4卡槽的位置稍有差異，以便防止將模組安裝到不兼容的主板或平臺中。

2.容量

相較于DDR3，DDR4理論上每根DIMM模塊能達到512GiB的容量，而DDR3每個DIMM模塊的理論最大容量僅128GiB。

3.速度

DDR3的最高速率為2133MT/s，DDR4的數(shù)據(jù)傳輸率也從2133MT/s起跳，最高速率在2013年的標(biāo)準(zhǔn)中暫定為4266MT/s。

5.能耗

DDR3的工作電壓是1.5V，而DDR4是1.2V，并且能源節(jié)省高達40%。

6.性能

在Anandtech的獨立測試中，DDR4的性能比DDR3略好，但差距很小。

7.價格

一般新的內(nèi)存類型初上市時，其價格都會比較高。隨著時間推移，它的價格會下降到上一代產(chǎn)品的水平，然后大量普及，取代上一代產(chǎn)品。

拓展資料

DDR又稱雙倍速率SDRAM，DoubleDateRateSDRSMDDRSDRAM是一種高速CMOS動態(tài)隨即訪問的內(nèi)存。美國JEDEC的固態(tài)技術(shù)協(xié)會于2000年6月公布了雙數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)存儲器(DDRSDRAM)規(guī)范JESD79，由于它在時鐘觸發(fā)沿的上下沿都能進行數(shù)據(jù)傳輸，所以即使在133MHz的總線頻率下的帶寬也能達到2.128GB/s。

DDR不支持3.3V電壓的LVTTL，而是支持2.5V的SSTL2標(biāo)準(zhǔn)，它仍然可以沿用現(xiàn)有SDRAM的生產(chǎn)體系，制造成本比SDRAM略高一些，但遠小于Rambus的價格。DDR存儲器代表著未來能與Rambu相抗衡的內(nèi)存發(fā)展的一個方向。

參考資料

DDR4內(nèi)存是什么？-高性能|金士頓

DDR3/DDR4同時存在-驅(qū)動之家

內(nèi)存條DDR3和DDR4的區(qū)別，還有1333和1600的區(qū)別？

一、內(nèi)存條中DDR3和DDR4的區(qū)別的區(qū)別如下：

1、功耗不同

DDR4是當(dāng)前市場上最新一代的內(nèi)存，而DDR3是老一代的內(nèi)存，在用電功耗上，DDR4功耗比較低，而老款的DDR3功耗就比較高了。

2、兼容能力不同

主板上面的內(nèi)存插槽都是向下兼容，也就是最新的主板不僅可以兼容DDR4，也可以兼容DDR3，而一些以前的主板，只能兼容DDR3，不能兼容DDR4。

3、最高頻率不同

DDR3作為上一代的內(nèi)存，它能支持的最高頻率只到2800，而DDR4的最高頻率可以達到4200。

二、1333和1600指的是內(nèi)存條的頻率，他們唯一的區(qū)別就是頻率不同。

ddr4和ddr3的區(qū)別

一、工作電壓不同

1、ddr4：標(biāo)準(zhǔn)工作電壓為1.2V，最低可降至1.1V—1.05V，相比于ddr3更節(jié)能。

2、ddr3：標(biāo)準(zhǔn)工作電壓為1.5V，節(jié)能版為1.35V。

二、工作頻率不同

1、ddr4：標(biāo)準(zhǔn)工作頻率為2133MHz，最高可以達到3200MHz。

2、ddr3：標(biāo)準(zhǔn)工作頻率最高為1600MHz。

三、預(yù)取機制不同

1、ddr4：采用16bit預(yù)取機制，同樣內(nèi)核頻率下理論速度是DDR3的兩倍，更可靠的傳輸規(guī)范，數(shù)據(jù)可靠性進一步提升。

2、ddr3：采用8bit預(yù)取設(shè)計，DDR3顯存規(guī)格為8MX32bit，單顆顆粒容量較大，4顆即可構(gòu)成128MB顯存。

參考資料來源：百度百科-DDR4內(nèi)存

參考資料來源：百度百科-DDR3SDRAM