一、電壓的不同
1、DDR3L是低電壓版內(nèi)存,全稱(chēng)“DDR3LowVoltage”(低電壓版DDR3),運(yùn)行電壓1.35V
2、DDR3是常壓內(nèi)存,運(yùn)行電壓1.5V。
二、兼容性不同
雖然DDR3與DDR3L在大多數(shù)情況下兼容,但在Haswell平臺(tái)下卻不完全兼容IntelHaswl處理器,IntelHaswl為了更好地降低功耗,其支持的內(nèi)存類(lèi)型只有DDR3L,并不能兼容DDR3。
三、功耗不同
DDR3L內(nèi)存采用1.35V工作電壓,而DDR3內(nèi)存則是1.5V工作電壓,DDR3L低壓內(nèi)存大約比DDR3標(biāo)壓內(nèi)存節(jié)能2W左右。
DDR3標(biāo)壓內(nèi)存相比DDR3L低壓內(nèi)存,性能強(qiáng)了大約10-15%左右。
擴(kuò)展資料:
DDR3系列內(nèi)存的優(yōu)點(diǎn):
1、功耗和發(fā)熱量較小。
2、工作頻率更高。
3、降低顯卡整體成本。
4、通用性好。
DR3顯存在新出的大多數(shù)中高端顯卡上得到了廣泛的應(yīng)用。許多低端的顯卡也有采用DDR3顯存的。
酷睿2是可以裝ddr3內(nèi)存的筆記本。根據(jù)查詢(xún)相關(guān)公開(kāi)信息,酷睿2安裝上ddr3內(nèi)存可以得到更多優(yōu)點(diǎn):
1、同酷睿2處理器更加匹配,隨著酷睿2處理器前端總線逐漸提升,對(duì)于內(nèi)存帶寬要求更為苛刻,而DDR3在技術(shù)和工藝上的改進(jìn)完美的實(shí)現(xiàn)了內(nèi)存同CPU的完全對(duì)接,消除了數(shù)據(jù)傳輸中的瓶頸。
2、DDR3內(nèi)存有助于提升筆記本續(xù)航時(shí)間,更高的頻率并未帶來(lái)更高的耗電,DDR3內(nèi)存的出現(xiàn)在頻率和好點(diǎn)之間找到了新的平衡,DDR3內(nèi)存可以幫助筆記本獲得更高性能的同時(shí)保持更長(zhǎng)的續(xù)航時(shí)間。
3、DDR3內(nèi)存更小的發(fā)熱也能為消費(fèi)者贏得剛好的使用體驗(yàn)。
從理論上來(lái)說(shuō),DDR3L是可以的安裝到筆記本普通DDR3內(nèi)存插槽上的。
DDR3L是DDR3的低壓版,工作電壓為1.35V,也有廠商制造的DDR3L是1.5V的電壓;DDR3的工作電壓范圍是1.35V-1.5V。如果普通DDR3的筆記本內(nèi)存插槽供電電壓是1.35V-1.5V,那么DDR3L內(nèi)存完全可以使用,若僅提供1.5V電壓,則有可能損壞DDR3L內(nèi)存。
擴(kuò)展資料
內(nèi)存正常工作電壓:
1、SDRAM內(nèi)存:工作電壓在3.3V左右,上下浮動(dòng)額度不超過(guò)0.3V;
2、DDRSDRAM內(nèi)存:工作電壓在2.5V左右,上下浮動(dòng)額度不超過(guò)0.2V;
3、DDR2SDRAM內(nèi)存:工作電壓在1.8V左右,不同制造商會(huì)有不同;
4、DDR3內(nèi)存:標(biāo)準(zhǔn)電壓是1.5V,電壓范圍1.35V-1.5V。
參考資料來(lái)源:百度百科-內(nèi)存電壓
本文分類(lèi):科技
瀏覽次數(shù):1491次瀏覽
發(fā)布日期:2023-04-25 21:33:29
本文鏈接:http://www.tbamed.com/net/36839f989b6f6de35745301744c07eea.html