筆記本內(nèi)存條1rx8和2rx8哪個比較好用

1rx8比較好用。

2R*8的是老做工兩面各封裝8個閃存顆粒實際使用16顆閃存顆粒，新的內(nèi)存條應(yīng)為單顆閃存顆粒容量變大只需要一面封裝8顆就行了，這個是最大的區(qū)別，此外性能等沒多大區(qū)別。

硬要區(qū)分的話，相同容量內(nèi)存條，使用封裝的閃存顆粒數(shù)越多穩(wěn)定性會有一定程度的下降，畢竟使用的元器件越多出現(xiàn)問題的幾率越大。

內(nèi)存條1R*8和2R*8有什么區(qū)別

內(nèi)存條根據(jù)DRAMS的數(shù)量分為Single-Rank,Dual-Rank，分別簡寫為1R和2R。*8指的是每個分組的數(shù)據(jù)總線寬度為8。

實際選擇中，需要根據(jù)MB上DIMM（內(nèi)存模塊）的數(shù)量進(jìn)行考慮。如果只插入2-4根，那么無論是1R還是2R都是可以的，甚至于2R還會提升大約5%的性能。

一旦DIMM數(shù)量比較多，那么最好只選擇1R的，因為Rank之間不能同時分享相同的數(shù)據(jù)通路，同時更多Rank，也就意味著更多分組，這也會降低DIMM的延時。

至于每個組與Rank的關(guān)系，如下圖所示：

拓展資料

內(nèi)存條要盡可能選擇同一類別，盡可能頻率相同或更高來獲得最佳的性能。比如你原來是DDR42400，那你新加就去加2400或2666，你加個2133則會拉低整體速度到2133。

內(nèi)存上的2rx8、1rx8、2rx4什么意思

2rx8表示memory（內(nèi)存）的內(nèi)存顆粒的個數(shù)為16個。

1rx8表示memory的內(nèi)存顆粒的個數(shù)為8個。

2rx4表示memory的內(nèi)存顆粒的個數(shù)為8個。

內(nèi)存計算方法如下：

CPU數(shù)據(jù)總線的位寬，現(xiàn)在一般是64bit，這個位寬就稱之為物理Bank。那么內(nèi)存1RX4則表示1個64bit，X4則表示memory每顆內(nèi)存顆粒的位數(shù)。

從這里我們就可以很容易知道m(xù)emory內(nèi)存顆粒的個數(shù)為：64/4=16顆。

如果是2rx8的話內(nèi)存顆粒就是：64*2/8=16顆。

如果是2rx4的話內(nèi)存顆粒就是：64*2/4=8顆。

如果是1rx8的話內(nèi)存顆粒就是：64/4*2=8顆。

所以無論是1RX4，2Rx4或者1RX8，2Rx8，代表的含義可以理解為memory的內(nèi)存顆粒的個數(shù)，而不是單面或者是雙面內(nèi)存。

擴展資料

知道了內(nèi)存顆粒編碼主要數(shù)位的含義，拿到一個內(nèi)存條后就非常容易計算出它的容量。例如一條三星ddr內(nèi)存，使用16片samsungk4h280838b-tcb0顆粒封裝。

顆粒編號第4、5位“28”代表該顆粒是128mbits，第6、7位“08”代表該顆粒是8位數(shù)據(jù)帶寬，這樣我們可以計算出該內(nèi)存條的容量是128mbits（兆數(shù)位）×16片/8bits=256mb（兆字節(jié)）。

注：“bit”為“數(shù)位”，“b”即字節(jié)“byte”，一個字節(jié)為8位則計算時除以8。關(guān)于內(nèi)存容量的計算，文中所舉的例子中有兩種情況：一種是非ecc內(nèi)存，每8片8位數(shù)據(jù)寬度的顆粒就可以組成一條內(nèi)存；另一種ecc內(nèi)存，在每64位數(shù)據(jù)之后，還增加了8位的ecc校驗碼。

通過校驗碼，可以檢測出內(nèi)存數(shù)據(jù)中的兩位錯誤，糾正一位錯誤。所以在實際計算容量的過程中，不計算校驗位，具有ecc功能的18片顆粒的內(nèi)存條實際容量按16乘。在購買時也可以據(jù)此判定18片或者9片內(nèi)存顆粒貼片的內(nèi)存條是ecc內(nèi)存。

參考資料來源：百度百科-內(nèi)存顆粒